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EPC23102ENGRT 意法半導(dǎo)體全半橋驅(qū)動(dòng)器
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EPC23102ENGRT 意法半導(dǎo)體全半橋驅(qū)動(dòng)器

品牌:意法半導(dǎo)體 分類:全半橋驅(qū)動(dòng)器 描述:IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
¥65.38

意法半導(dǎo)體 EPC23102ENGRT 全半橋驅(qū)動(dòng)器

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
Output ConfigurationHalf Bridge
ApplicationsAC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
InterfaceLogic, PWM
Load TypeInductive, Capacitive, Resistive
TechnologyGallium Nitride (GaN) FETs
Rds On (Typ)5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Current - Output / Channel35A
Current - Peak Output-
Voltage - Supply4.5V ~ 5.5V
Voltage - Load10V ~ 80V
Operating Temperature-40°C ~ 125°C (TJ)
FeaturesBootstrap Circuit
Fault ProtectionCurrent Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Mounting TypeSurface Mount, Wettable Flank
Package / Case13-PowerWFQFN
Supplier Device Package13-WQFN-HR (3.5x5)

EPC23102ENGRT 意法半導(dǎo)體全半橋驅(qū)動(dòng)器 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

EPC23102ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 全半橋驅(qū)動(dòng)器 類電子元器件。IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose、Interface: Logic, PWM、Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。

EPC23102ENGRT 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Typ)(5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS)、Current - Output / Channel(35A)、Voltage - Supply(4.5V ~ 5.5V)、Voltage - Load(10V ~ 80V)、Operating Temperature(-40°C ~ 125°C (TJ)) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體:意法半導(dǎo)體(EPC)作為氮化鎵(GaN)功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者,始終致力于推動(dòng)電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基(eGaN?)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET,EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍,為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。

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EPC23102ENGRT常見問題

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