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| Product Status | Active |
| Output Configuration | Half Bridge |
| Applications | DC Motors, DC-DC Converters |
| Interface | Logic |
| Load Type | Capacitive and Resistive |
| Technology | Gallium Nitride (GaN) FETs |
| Rds On (Typ) | 7.6mOhm LS + HS |
| Current - Output / Channel | 25A |
| Current - Peak Output | 109A |
| Voltage - Supply | 10V ~ 80V |
| Voltage - Load | 10V ~ 80V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Features | Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled |
| Fault Protection | ESD, Over Voltage, Short Circuit |
| Mounting Type | Surface Mount, Wettable Flank |
| Package / Case | 13-PowerWFQFN |
| Supplier Device Package | 13-WQFN-HR (3.5x5) |
EPC23103ENGRT 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 全半橋驅(qū)動器 類電子元器件。IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Output Configuration: Half Bridge、Applications: DC Motors, DC-DC Converters、Interface: Logic、Load Type: Capacitive and Resistive、Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs。
EPC23103ENGRT 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Typ)（7.6mOhm LS + HS）、Current - Output / Channel（25A）、Current - Peak Output（109A）、Voltage - Supply（10V ~ 80V）、Voltage - Load（10V ~ 80V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體（EPC）作為氮化鎵（GaN）功率管理器件領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者，始終致力于推動電子元器件技術(shù)的革新。EPC率先推出了業(yè)界首款增強(qiáng)型氮化鎵硅基（eGaN?）場效應(yīng)晶體管，成功地將GaN技術(shù)應(yīng)用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相較于傳統(tǒng)的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN? 器件在性能上實(shí)現(xiàn)了數(shù)倍的飛躍，為眾多尖端應(yīng)用領(lǐng)域提供了卓越的解決方案。
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