TC58BYG2S0HBAI6是鎧俠美國公司旗下的記憶 產品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供TC58BYG2S0HBAI6現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供TC58BYG2S0HBAI6 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND (SLC) |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 512M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
| Access Time | 25 ns |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 67-VFBGA |
| Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
TC58BYG2S0HBAI6 是由 鎧俠美國公司 制造的 記憶 類電子元器件。IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NAND (SLC)、Memory Size: 4Gbit。
TC58BYG2S0HBAI6 共有 15 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Memory Organization（512M x 8）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（25ns）、Access Time（25 ns）、Voltage - Supply（1.7V ~ 1.95V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。
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