RN262GT2R 羅姆半導(dǎo)體射頻二極管

RN262GT2R 羅姆半導(dǎo)體射頻二極管 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

RN262GT2R 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 射頻二極管 類(lèi)電子元器件。RF DIODE PIN 30V 100MW VMD2。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Diode Type: PIN - Single、Voltage - Peak Reverse (Max): 30V、Current - Max: 100 mA、Capacitance @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz、Resistance @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz。

RN262GT2R 共有 10 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power Dissipation (Max)（100 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Package / Case（SOD-723）、Supplier Device Package（VMD2） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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