IV1D12020T3是英威芯科技旗下的二極管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IV1D12020T3現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IV1D12020T3 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 20 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 μA @ 1200 V |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
IV1D12020T3 是由 英威芯科技 制造的 二極管陣列 類電子元器件。SIC DIODE, 1200V 20A(10A/LEG), T。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A。
IV1D12020T3 共有 13 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（No Recovery Time > 500mA (Io)）、Reverse Recovery Time (trr)（0 ns）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 μA @ 1200 V）、Operating Temperature - Junction（-55°C ~ 175°C）、Mounting Type（Through Hole） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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