
EMP11FHT2R 羅姆半導體二極管陣列
羅姆半導體 EMP11FHT2R 二極管陣列
EMP11FHT2R是羅姆半導體旗下的二極管陣列 產品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供EMP11FHT2R現貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供EMP11FHT2R datasheet數據手冊下載、規(guī)格參數查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| Diode Configuration | 2 Pair Common Anode |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 80 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 100mA |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 100 mA |
| Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 nA @ 70 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | EMD6 |
EMP11FHT2R 羅姆半導體二極管陣列 - 規(guī)格參數與選型指南
EMP11FHT2R 是由 羅姆半導體 制造的 二極管陣列 類電子元器件。HIGH-SPEED SWITCHING, 80V, 100MA。該器件的核心參數包括:Product Status: Not For New Designs、Diode Configuration: 2 Pair Common Anode、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100mA、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 100 mA。
EMP11FHT2R 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed(Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed)、Reverse Recovery Time (trr)(4 ns)、Current - Reverse Leakage @ Vr(100 nA @ 70 V)、Operating Temperature - Junction(150°C (Max))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。
關于 羅姆半導體:羅姆公司成立于1958年,總部位于日本京都。羅姆設計和制造半導體、集成電路及其他電子元件,這些元件廣泛應用于不斷發(fā)展壯大的無線通信、計算機、汽車和消費電子市場。一些最具創(chuàng)新性的設備和裝置都采用了羅姆的產品。
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