RBE1KA20ATR 羅姆半導(dǎo)體二極管陣列

RBE1KA20ATR 羅姆半導(dǎo)體二極管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

RBE1KA20ATR 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 二極管陣列 類(lèi)電子元器件。HIGH EFFICIENCY TYPE, 20V, 1A, S。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Diode Configuration: 2 Independent、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 430 mV @ 500 mA。

RBE1KA20ATR 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（200 μA @ 20 V）、Operating Temperature - Junction（125°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（6-SMD (5 Leads), Flat Lead） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線(xiàn)通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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