NRVBD660CTRLG 安森美二極管陣列
安森美 NRVBD660CTRLG 二極管陣列
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Technology | Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 60 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 3A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700 mV @ 3 A |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 μA @ 60 V |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
NRVBD660CTRLG 安森美二極管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
NRVBD660CTRLG 是由 安森美 制造的 二極管陣列 類電子元器件。DIODE SCHOTTKY 60V 6A DPAK-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode、Technology: Schottky、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 3 A。
NRVBD660CTRLG 共有 12 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（100 μA @ 60 V）、Operating Temperature - Junction（-65°C ~ 175°C）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
關于 安森美：安森美（onsemi）作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅(qū)動者，致力于賦能客戶實現(xiàn)全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局，為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產(chǎn)品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別，包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可或缺的組成部分，安森美通過其豐富的產(chǎn)品組合，有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是安森美代理商，專業(yè)供應NRVBD660CTRLG等二極管陣列 產(chǎn)品。如您需要NRVBD660CTRLG的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術支持。
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