DD1000S33HE3B60BOSA1 英飛凌科技二極管陣列
英飛凌科技 DD1000S33HE3B60BOSA1 二極管陣列
DD1000S33HE3B60BOSA1是英飛凌科技旗下的二極管陣列 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供DD1000S33HE3B60BOSA1現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供DD1000S33HE3B60BOSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| Diode Configuration | 2 Independent |
| Technology | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 3300 V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 1000A (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.85 V @ 1000 A |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1000 A @ 1800 V |
| Operating Temperature - Junction | -40°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-IHVB130-3 |
DD1000S33HE3B60BOSA1 英飛凌科技二極管陣列 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
DD1000S33HE3B60BOSA1 是由 英飛凌科技 制造的 二極管陣列 類電子元器件。IHV IHM T XHP 3 3-6 5K AG-IHVB13。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Diode Configuration: 2 Independent、Technology: Standard、Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V、Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1000A (DC)、Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.85 V @ 1000 A。
DD1000S33HE3B60BOSA1 共有 12 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Speed（Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)）、Current - Reverse Leakage @ Vr（1000 A @ 1800 V）、Operating Temperature - Junction（-40°C ~ 150°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。
關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**
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