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STGWT40HP65FB 意法半導體單 IGBT
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STGWT40HP65FB 意法半導體單 IGBT

品牌:意法半導體 分類:單 IGBT 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
¥23.69

意法半導體 STGWT40HP65FB 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Power - Max283 W
Switching Energy363μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge210 nC
Td (on/off) @ 25°C-/142ns
Test Condition400V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)140 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Supplier Device PackageTO-3P

STGWT40HP65FB 意法半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STGWT40HP65FB 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A。

STGWT40HP65FB 共有 17 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(283 W)、Switching Energy(363μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(210 nC)、Td (on/off) @ 25°C(-/142ns) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 意法半導體:意法半導體是一家全球獨立的半導體公司,是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產權(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系,使其在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術的前沿占據(jù)領先地位,其產品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。

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STGWT40HP65FB常見問題

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