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STGW30NC60VD 意法半導體單 IGBT
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STGW30NC60VD 意法半導體單 IGBT

品牌:意法半導體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 600V 80A 250W TO247
¥33.41

意法半導體 STGW30NC60VD 單 IGBT

STGW30NC60VD是意法半導體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供STGW30NC60VD現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供STGW30NC60VD datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
Power - Max250 W
Switching Energy220μJ (on), 330μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge100 nC
Td (on/off) @ 25°C31ns/100ns
Test Condition390V, 20A, 3.3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)44 ns
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

STGW30NC60VD 意法半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STGW30NC60VD 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 80A 250W TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A、Power - Max: 250 W。

STGW30NC60VD 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(220μJ (on), 330μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(100 nC)、Td (on/off) @ 25°C(31ns/100ns)、Test Condition(390V, 20A, 3.3Ohm, 15V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

關于 意法半導體:意法半導體是一家全球獨立的半導體公司,是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(IP)組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關系,使其在系統(tǒng)級芯片(SoC)技術的前沿占據(jù)領先地位,其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關鍵作用。

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STGW30NC60VD常見問題

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