STGD3NB60SDT4 意法半導體單 IGBT

STGD3NB60SDT4 意法半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STGD3NB60SDT4 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 6A 48W DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 6 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 3A、Power - Max: 48 W。

STGD3NB60SDT4 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（1.15mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（18 nC）、Td (on/off) @ 25°C（125μs/-）、Test Condition（480V, 3A, 1kOhm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。

關(guān)于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領域半導體解決方案的領導者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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