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FGH50T65UPD 安森美單 IGBT
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FGH50T65UPD 安森美單 IGBT

品牌:安森美 分類:單 IGBT 描述:IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
¥42.62

安森美 FGH50T65UPD 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusNot For New Designs
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Power - Max340 W
Switching Energy2.7mJ (on), 740μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge230 nC
Td (on/off) @ 25°C32ns/160ns
Test Condition400V, 50A, 6Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)53 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247-3

FGH50T65UPD 安森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

FGH50T65UPD 是由 安森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A。

FGH50T65UPD 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(340 W)、Switching Energy(2.7mJ (on), 740μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(230 nC)、Td (on/off) @ 25°C(32ns/160ns) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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FGH50T65UPD常見問題

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