IKW75N65EL5XKSA1是英飛凌科技旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IKW75N65EL5XKSA1現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢。我們可為您提供IKW75N65EL5XKSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線詢價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 536 W |
| Switching Energy | 1.61mJ (on), 3.2mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 436 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/275ns |
| Test Condition | 400V, 75A, 4Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 114 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
IKW75N65EL5XKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 75A FAST DIODE TO247-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A、Power - Max: 536 W。
IKW75N65EL5XKSA1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（1.61mJ (on), 3.2mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（436 nC）、Td (on/off) @ 25°C（40ns/275ns）、Test Condition（400V, 75A, 4Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
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