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AOK30B65M2是萬國半導體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AOK30B65M2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供AOK30B65M2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 300 W |
| Switching Energy | 1.02mJ (on), 410μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 63 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 34ns/138ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 339 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
AOK30B65M2 是由 萬國半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 30A TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A、Power - Max: 300 W。
AOK30B65M2 共有 16 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(1.02mJ (on), 410μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(63 nC)、Td (on/off) @ 25°C(34ns/138ns)、Test Condition(400V, 30A, 10Ohm, 15V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。
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