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AOKS40B65H1 萬國半導(dǎo)體單 IGBT
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AOKS40B65H1 萬國半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬國半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 40A TO247
¥28.15

萬國半導(dǎo)體 AOKS40B65H1 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
Power - Max300 W
Switching Energy1.27mJ (on), 460μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge63 nC
Td (on/off) @ 25°C41ns/130ns
Test Condition400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

AOKS40B65H1 萬國半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOKS40B65H1 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 40A TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A、Power - Max: 300 W。

AOKS40B65H1 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(1.27mJ (on), 460μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(63 nC)、Td (on/off) @ 25°C(41ns/130ns)、Test Condition(400V, 40A, 7.5Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOKS40B65H1常見問題

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