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IKFW50N65ES5XKSA1 英飛凌科技單 IGBT
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IKFW50N65ES5XKSA1 英飛凌科技單 IGBT

品牌:英飛凌科技 分類:單 IGBT 描述:IKFW50N65ES5XKSA1
¥58.03

英飛凌科技 IKFW50N65ES5XKSA1 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)74 A
Current - Collector Pulsed (Icm)160 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 40A
Power - Max127 W
Switching Energy860μJ (on), 400μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge95 nC
Td (on/off) @ 25°C19ns/130ns
Test Condition400V, 40A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)69 ns
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackagePG-HSIP247-3-2

IKFW50N65ES5XKSA1 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IKFW50N65ES5XKSA1 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IKFW50N65ES5XKSA1。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 74 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A。

IKFW50N65ES5XKSA1 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(127 W)、Switching Energy(860μJ (on), 400μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(95 nC)、Td (on/off) @ 25°C(19ns/130ns) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。

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IKFW50N65ES5XKSA1常見問題

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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是英飛凌科技的代理商和供應(yīng)商嗎?
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