HGT1S2N120CN是仙童半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供HGT1S2N120CN現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供HGT1S2N120CN datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線(xiàn)詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Power - Max | 104 W |
| Switching Energy | 96μJ (on), 355μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 30 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/205ns |
| Test Condition | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA |
| Supplier Device Package | TO-262 |
HGT1S2N120CN 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類(lèi)電子元器件。N-CHANNEL IGBT。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 13 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2.6A。
HGT1S2N120CN 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（104 W）、Switching Energy（96μJ (on), 355μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（30 nC）、Td (on/off) @ 25°C（25ns/205ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
關(guān)于 仙童半導(dǎo)體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導(dǎo)體”，是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來(lái)，仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴(lài)的合作伙伴。其主營(yíng)產(chǎn)品類(lèi)別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車(chē)電子專(zhuān)用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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