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HGT1S20N36G3VL 仙童半導體單 IGBT
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HGT1S20N36G3VL 仙童半導體單 IGBT

品牌:仙童半導體 分類:單 IGBT 描述:N-CHANNEL IGBT
¥14.62

仙童半導體 HGT1S20N36G3VL 單 IGBT

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規(guī)格參數

Product StatusObsolete
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)395 V
Current - Collector (Ic) (Max)37.7 A
Current - Collector Pulsed (Icm)-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.9V @ 5V, 20A
Power - Max150 W
Switching Energy-
Input TypeLogic
Gate Charge28.7 nC
Td (on/off) @ 25°C-/15μs
Test Condition300V, 10A, 25Ohm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Supplier Device PackageI2PAK (TO-262)

HGT1S20N36G3VL 仙童半導體單 IGBT - 規(guī)格參數與選型指南

HGT1S20N36G3VL 是由 仙童半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。N-CHANNEL IGBT。該器件的核心參數包括:Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 395 V、Current - Collector (Ic) (Max): 37.7 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 20A、Power - Max: 150 W、Input Type: Logic。

HGT1S20N36G3VL 共有 13 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Gate Charge(28.7 nC)、Td (on/off) @ 25°C(-/15μs)、Test Condition(300V, 10A, 25Ohm, 5V)、Operating Temperature(-40°C ~ 175°C (TJ))、Mounting Type(Through Hole) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

關于 仙童半導體:Fairchild Semiconductor,中文名“仙童半導體”,是全球知名的半導體解決方案供應商,以其在功率半導體和模擬集成電路領域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來,仙童半導體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件,成為眾多行業(yè)領先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產品類別廣泛,涵蓋了功率器件(如MOSFET、IGBT、二極管)、模擬IC(如運算放大器、數據轉換器、電源管理IC)、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現代電子設備不可或缺的基礎。

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HGT1S20N36G3VL常見問題

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