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AOK20B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT
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AOK20B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬國半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 20A TO247
¥27.50

萬國半導(dǎo)體 AOK20B65M2 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 20A
Power - Max227 W
Switching Energy580μJ (on), 280μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge46 nC
Td (on/off) @ 25°C26ns/123ns
Test Condition400V, 20A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)292 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

AOK20B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOK20B65M2 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 20A TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A、Power - Max: 227 W。

AOK20B65M2 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(580μJ (on), 280μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(46 nC)、Td (on/off) @ 25°C(26ns/123ns)、Test Condition(400V, 20A, 15Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOK20B65M2常見問題

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