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AOK40B65M3 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT
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AOK40B65M3 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 40A TO247
¥30.31

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 AOK40B65M3 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 40A
Power - Max300 W
Switching Energy1.3mJ (on), 500μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge59 nC
Td (on/off) @ 25°C40ns/125ns
Test Condition400V, 40A, 7.5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)365 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247

AOK40B65M3 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOK40B65M3 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 40A TO247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 40A、Power - Max: 300 W。

AOK40B65M3 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(1.3mJ (on), 500μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(59 nC)、Td (on/off) @ 25°C(40ns/125ns)、Test Condition(400V, 40A, 7.5Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOK40B65M3常見問(wèn)題

AOK40B65M3的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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