APT50GF120LRG 微芯科技單 IGBT
微芯科技 APT50GF120LRG 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 135 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 781 W |
| Switching Energy | 3.6mJ (on), 2.64mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 340 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/260ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 1Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Supplier Device Package | TO-264 [L] |
APT50GF120LRG 微芯科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
APT50GF120LRG 是由 微芯科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 135A 781W TO264。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 135 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 50A。
APT50GF120LRG 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（781 W）、Switching Energy（3.6mJ (on), 2.64mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（340 nC）、Td (on/off) @ 25°C（25ns/260ns） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球領(lǐng)先的**電子元器件**和**IC芯片**供應商，以其創(chuàng)新的**微控制器**和**模擬半導體**解決方案，賦能全球數(shù)以萬計的客戶實現(xiàn)低風險的產(chǎn)品開發(fā)、降低整體系統(tǒng)成本并加速產(chǎn)品上市進程。公司總部位于美國亞利桑那州錢德勒，自成立以來，微芯科技始終致力于提供卓越的技術(shù)支持、可靠的交付和高品質(zhì)的產(chǎn)品，贏得了業(yè)界的廣泛贊譽。
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