STGD7NB60KT4 意法半導體單 IGBT
意法半導體 STGD7NB60KT4 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 14 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 56 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 7A |
| Power - Max | 70 W |
| Switching Energy | 95μJ (on), 140μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 32.7 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/50ns |
| Test Condition | 480V, 7A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
STGD7NB60KT4 意法半導體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGD7NB60KT4 是由 意法半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 14A 70W DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A、Power - Max: 70 W。
STGD7NB60KT4 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（95μJ (on), 140μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（32.7 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/50ns）、Test Condition（480V, 7A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導體：意法半導體是一家全球獨立的半導體公司，是開發(fā)和提供微電子應用領(lǐng)域半導體解決方案的領(lǐng)導者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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