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AOT10B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT
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AOT10B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬國半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 10A TO220
¥14.76

萬國半導(dǎo)體 AOT10B65M2 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)30 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
Power - Max150 W
Switching Energy180μJ (on), 130μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge24 nC
Td (on/off) @ 25°C12ns/91ns
Test Condition400V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)262 ns
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220

AOT10B65M2 萬國半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOT10B65M2 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 10A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A、Power - Max: 150 W。

AOT10B65M2 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(180μJ (on), 130μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(24 nC)、Td (on/off) @ 25°C(12ns/91ns)、Test Condition(400V, 10A, 30Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOT10B65M2常見問題

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