AOTF20B65M1是萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供AOTF20B65M1現(xiàn)貨庫(kù)存與價(jià)格報(bào)價(jià)查詢(xún)。我們可為您提供AOTF20B65M1 datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號(hào)推薦，原裝正品保障，支持批量采購(gòu)與在線(xiàn)詢(xún)價(jià)，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 45 W |
| Switching Energy | 470μJ (on), 270μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 46 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 322 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
AOTF20B65M1 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類(lèi)電子元器件。IGBT 650V 20A TO220。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A、Power - Max: 45 W。
AOTF20B65M1 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（470μJ (on), 270μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（46 nC）、Td (on/off) @ 25°C（26ns/122ns）、Test Condition（400V, 20A, 15Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
關(guān)于 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體：**萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：賦能高效能源應(yīng)用的功率半導(dǎo)體先驅(qū)**
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