STGWT30V60DF 意法半導(dǎo)體單 IGBT
意法半導(dǎo)體 STGWT30V60DF 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 258 W |
| Switching Energy | 383μJ (on), 233μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 163 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 45ns/189ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Supplier Device Package | TO-3P |
STGWT30V60DF 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGWT30V60DF 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 60A 258W TO3P-3。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 60 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A。
STGWT30V60DF 共有 17 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（258 W）、Switching Energy（383μJ (on), 233μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（163 nC）、Td (on/off) @ 25°C（45ns/189ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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