STGD3HF60HDT4 意法半導(dǎo)體單 IGBT
意法半導(dǎo)體 STGD3HF60HDT4 單 IGBT
STGD3HF60HDT4是意法半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供STGD3HF60HDT4現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供STGD3HF60HDT4 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7.5 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.95V @ 15V, 1.5A |
| Power - Max | 38 W |
| Switching Energy | 19μJ (on), 12μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 12 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 11ns/60ns |
| Test Condition | 400V, 1.5A, 100Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | DPAK |
STGD3HF60HDT4 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGD3HF60HDT4 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 7.5A 38W DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 7.5 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.95V @ 15V, 1.5A、Power - Max: 38 W。
STGD3HF60HDT4 共有 16 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（19μJ (on), 12μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（12 nC）、Td (on/off) @ 25°C（11ns/60ns）、Test Condition（400V, 1.5A, 100Ohm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司是意法半導(dǎo)體代理商，專業(yè)供應(yīng)STGD3HF60HDT4等單 IGBT 產(chǎn)品。如您需要STGD3HF60HDT4的datasheet數(shù)據(jù)手冊、規(guī)格參數(shù)詳情或替代型號信息，歡迎聯(lián)系我們獲取技術(shù)支持。
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