STGD25N40LZAG 意法半導(dǎo)體單 IGBT
意法半導(dǎo)體 STGD25N40LZAG 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 435 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Power - Max | 125 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | 26 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 1.1μs/4.6μs |
| Test Condition | 300V, 10A, 1kOhm, 5V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | D-PAK (TO-252) |
STGD25N40LZAG 意法半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
STGD25N40LZAG 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。POWER TRANSISTORS。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 435 V、Current - Collector (Ic) (Max): 25 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A、Power - Max: 125 W。
STGD25N40LZAG 共有 14 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Type（Logic）、Gate Charge（26 nC）、Td (on/off) @ 25°C（1.1μs/4.6μs）、Test Condition（300V, 10A, 1kOhm, 5V）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識、制造實力、知識產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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