FGB30N6S2T是仙童半導(dǎo)體旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FGB30N6S2T現(xiàn)貨庫存與價格報(bào)價查詢。我們可為您提供FGB30N6S2T datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 108 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Power - Max | 167 W |
| Switching Energy | 55μJ (on), 110μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 23 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 6ns/40ns |
| Test Condition | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
FGB30N6S2T 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。N-CHANNEL IGBT。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 45 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 108 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A、Power - Max: 167 W。
FGB30N6S2T 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（55μJ (on), 110μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（23 nC）、Td (on/off) @ 25°C（6ns/40ns）、Test Condition（390V, 12A, 10Ohm, 15V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。
關(guān)于 仙童半導(dǎo)體：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半導(dǎo)體”，是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來，仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件，成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛，涵蓋了功率器件（如MOSFET、IGBT、二極管）、模擬IC（如運(yùn)算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC）、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。
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