IKW03N120H2是英飛凌科技旗下的單 IGBT 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IKW03N120H2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IKW03N120H2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 9.6 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9.9 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Power - Max | 62.5 W |
| Switching Energy | 290μJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 22 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 9.2ns/281ns |
| Test Condition | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
IKW03N120H2 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT WITH ANTI-PARALLEL DIODE。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 9.6 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 9.9 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 3A、Power - Max: 62.5 W。
IKW03N120H2 共有 16 項技術參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy（290μJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（22 nC）、Td (on/off) @ 25°C（9.2ns/281ns）、Test Condition（800V, 3A, 82Ohm, 15V） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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