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SGL25N120RUFTU 仙童半導(dǎo)體單 IGBT
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SGL25N120RUFTU 仙童半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:仙童半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL

仙童半導(dǎo)體 SGL25N120RUFTU 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)75 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 25A
Power - Max270 W
Switching Energy1.6mJ (on), 1.63mJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge165 nC
Td (on/off) @ 25°C30ns/70ns
Test Condition600V, 25A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-264-3, TO-264AA
Supplier Device Package-

SGL25N120RUFTU 仙童半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

SGL25N120RUFTU 是由 仙童半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT, 40A, 1200V, N-CHANNEL。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A、Power - Max: 270 W。

SGL25N120RUFTU 共有 14 項技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(1.6mJ (on), 1.63mJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(165 nC)、Td (on/off) @ 25°C(30ns/70ns)、Test Condition(600V, 25A, 10Ohm, 15V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 仙童半導(dǎo)體:Fairchild Semiconductor,中文名“仙童半導(dǎo)體”,是全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,以其在功率半導(dǎo)體和模擬集成電路領(lǐng)域的深厚積淀而聞名。自創(chuàng)立以來,仙童半導(dǎo)體一直致力于提供高性能、高可靠性的電子元器件,成為眾多行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)信賴的合作伙伴。其主營產(chǎn)品類別廣泛,涵蓋了功率器件(如MOSFET、IGBT、二極管)、模擬IC(如運算放大器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、電源管理IC)、邏輯IC以及汽車電子專用器件等。這些電子元件是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的基礎(chǔ)。

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SGL25N120RUFTU常見問題

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