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AOTF5B60D 萬國半導(dǎo)體單 IGBT
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AOTF5B60D 萬國半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬國半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 600V 10A 31.2W TO220F
¥5.71

萬國半導(dǎo)體 AOTF5B60D 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusNot For New Designs
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)20 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 5A
Power - Max31.2 W
Switching Energy140μJ (on), 40μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge9.4 nC
Td (on/off) @ 25°C12ns/83ns
Test Condition400V, 5A, 60Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)98 ns
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Supplier Device PackageTO-220F

AOTF5B60D 萬國半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOTF5B60D 是由 萬國半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 10A 31.2W TO220F。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 14 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 5A、Power - Max: 31.2 W。

AOTF5B60D 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(140μJ (on), 40μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(9.4 nC)、Td (on/off) @ 25°C(12ns/83ns)、Test Condition(400V, 5A, 60Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOTF5B60D常見問題

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