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AOTF15B65M2 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT
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AOTF15B65M2 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT

品牌:萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 650V 15A TO220
¥8.41

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 AOTF15B65M2 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)45 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 15A
Power - Max36 W
Switching Energy290μJ (on), 200μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge32 nC
Td (on/off) @ 25°C15ns/94ns
Test Condition400V, 15A, 20Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)298 ns
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3
Supplier Device PackageTO-220

AOTF15B65M2 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

AOTF15B65M2 是由 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 650V 15A TO220。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 30 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 15A、Power - Max: 36 W。

AOTF15B65M2 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(290μJ (on), 200μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(32 nC)、Td (on/off) @ 25°C(15ns/94ns)、Test Condition(400V, 15A, 20Ohm, 15V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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AOTF15B65M2常見問(wèn)題

AOTF15B65M2的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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