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AOB10B60D 萬國半導體單 IGBT
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AOB10B60D 萬國半導體單 IGBT

品牌:萬國半導體 分類:單 IGBT 描述:IGBT 600V 20A 163W TO263
¥9.51

萬國半導體 AOB10B60D 單 IGBT

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規(guī)格參數

Product StatusNot For New Designs
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 10A
Power - Max163 W
Switching Energy260μJ (on), 70μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge17.4 nC
Td (on/off) @ 25°C10ns/72ns
Test Condition400V, 10A, 30Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)105 ns
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device PackageTO-263 (D2Pak)

AOB10B60D 萬國半導體單 IGBT - 規(guī)格參數與選型指南

AOB10B60D 是由 萬國半導體 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 600V 20A 163W TO263。該器件的核心參數包括:Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A、Power - Max: 163 W。

AOB10B60D 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Switching Energy(260μJ (on), 70μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(17.4 nC)、Td (on/off) @ 25°C(10ns/72ns)、Test Condition(400V, 10A, 30Ohm, 15V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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AOB10B60D常見問題

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