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APT50GT120B2RDLG 美高森美單 IGBT
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APT50GT120B2RDLG 美高森美單 IGBT

品牌:美高森美 分類:單 IGBT 描述:IGBT 1200V 106A 694W TO-247
¥132.84

美高森美 APT50GT120B2RDLG 單 IGBT

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT TypeNPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)106 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Power - Max694 W
Switching Energy3585μJ (on), 1910μJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge240 nC
Td (on/off) @ 25°C23ns/215ns
Test Condition800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3 Variant
Supplier Device Package-

APT50GT120B2RDLG 美高森美單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

APT50GT120B2RDLG 是由 美高森美 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT 1200V 106A 694W TO-247。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A。

APT50GT120B2RDLG 共有 15 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max(694 W)、Switching Energy(3585μJ (on), 1910μJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(240 nC)、Td (on/off) @ 25°C(23ns/215ns) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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APT50GT120B2RDLG常見問題

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