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UF3SC065007K4S 科沃單 FET、MOSFET
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UF3SC065007K4S 科沃單 FET、MOSFET

品牌:科沃 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4
¥546.26

科沃 UF3SC065007K4S 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs214 nC @ 15 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8360 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)789W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247-4
Package / CaseTO-247-4

UF3SC065007K4S 科沃單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

UF3SC065007K4S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 650V 120A TO247-4。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Cascode SiCJFET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V。

UF3SC065007K4S 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(9mOhm @ 50A, 12V)、Vgs(th) (Max) @ Id(6V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(214 nC @ 15 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(8360 pF @ 100 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

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UF3SC065007K4S常見問題

UF3SC065007K4S的datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)在哪里下載?
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