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AO3162 萬國半導體單 FET、MOSFET
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AO3162 萬國半導體單 FET、MOSFET

品牌:萬國半導體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23
¥3.17

萬國半導體 AO3162 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數

Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C34mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.1V @ 8μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.15 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)1.39W (Ta)
Operating Temperature-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23A-3
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AO3162 萬國半導體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南

AO3162 是由 萬國半導體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 34MA SOT23。該器件的核心參數包括:Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

AO3162 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(500Ohm @ 16mA, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4.1V @ 8μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(0.15 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(6 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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AO3162常見問題

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