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UF3C065080T3S 科沃單 FET、MOSFET
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UF3C065080T3S 科沃單 FET、MOSFET

品牌:科沃 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
¥54.86

科沃 UF3C065080T3S 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
Technology-
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)190W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220-3
Package / CaseTO-220-3

UF3C065080T3S 科沃單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

UF3C065080T3S 是由 科沃 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V。

UF3C065080T3S 共有 15 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(6V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(51 nC @ 15 V)、Vgs (Max)(±25V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1500 pF @ 100 V)、Power Dissipation (Max)(190W (Tc)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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UF3C065080T3S常見問題

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