RS1G300GNTB 羅姆半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

RS1G300GNTB 羅姆半導(dǎo)體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

RS1G300GNTB 是由 羅姆半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。MOSFET N-CH 40V 30A 8HSOP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

RS1G300GNTB 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2.5mOhm @ 30A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（56.8 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（4230 pF @ 20 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。

關(guān)于 羅姆半導(dǎo)體：羅姆公司成立于1958年，總部位于日本京都。羅姆設(shè)計(jì)和制造半導(dǎo)體、集成電路及其他電子元件，這些元件廣泛應(yīng)用于不斷發(fā)展壯大的無(wú)線(xiàn)通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)和消費(fèi)電子市場(chǎng)。一些最具創(chuàng)新性的設(shè)備和裝置都采用了羅姆的產(chǎn)品。

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