STD5NM60T4 意法半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

STD5NM60T4 意法半導(dǎo)體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

STD5NM60T4 是由 意法半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 600V 5A DPAK。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

STD5NM60T4 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（1Ohm @ 2.5A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（5V @ 250μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（18 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±30V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（400 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 意法半導(dǎo)體：意法半導(dǎo)體是一家全球獨(dú)立的半導(dǎo)體公司，是開發(fā)和提供微電子應(yīng)用領(lǐng)域半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者。公司結(jié)合了硅和系統(tǒng)方面的專業(yè)知識(shí)、制造實(shí)力、知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）組合以及戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，使其在系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）技術(shù)的前沿占據(jù)領(lǐng)先地位，其產(chǎn)品在推動(dòng)當(dāng)今的融合趨勢中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

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