
NTPF165N65S3H 安森美單 FET、MOSFET
安森美 NTPF165N65S3H 單 FET、MOSFET
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規(guī)格參數
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 9.5A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.6mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1808 pF @ 400 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
NTPF165N65S3H 安森美單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數與選型指南
NTPF165N65S3H 是由 安森美 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE。該器件的核心參數包括:Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
NTPF165N65S3H 共有 16 項技術參數,涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(165mOhm @ 9.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 1.6mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(35 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1808 pF @ 400 V) 等。更多詳細參數請查閱上方"產品參數"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
關于 安森美:安森美(onsemi)作為全球領先的能源高效創(chuàng)新驅動者,致力于賦能客戶實現全球能源消耗的降低。公司憑借深厚的技術積淀和前瞻性的戰(zhàn)略布局,為全球設計工程師提供全面、領先的**電子元器件**解決方案。安森美的主營產品線涵蓋了廣泛的**電子元件**類別,包括但不限于高性能的能源高效電源管理**IC芯片**、信號管理**IC芯片**、邏輯器件、分立器件以及定制化解決方案。這些**元器件**是現代電子產品不可或缺的組成部分,安森美通過其豐富的產品組合,有效應對客戶在各種復雜設計挑戰(zhàn)中遇到的難題。
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