BSS119NH7796 英飛凌科技單 FET、MOSFET

BSS119NH7796 英飛凌科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

BSS119NH7796 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類(lèi)電子元器件。SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

BSS119NH7796 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（6Ohm @ 190mA, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.3V @ 13μA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（0.6 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（20.9 pF @ 25 V） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

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