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CWDM3011N TR13 PBFREE 中央半導(dǎo)體單 FET、MOSFET
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CWDM3011N TR13 PBFREE 中央半導(dǎo)體單 FET、MOSFET

品牌:中央半導(dǎo)體 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
¥4.68

中央半導(dǎo)體 CWDM3011N TR13 PBFREE 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.3 nC @ 5 V
Vgs (Max)20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds860 pF @ 15 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2.5W (Ta)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-SOIC
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

CWDM3011N TR13 PBFREE 中央半導(dǎo)體單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

CWDM3011N TR13 PBFREE 是由 中央半導(dǎo)體 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。

CWDM3011N TR13 PBFREE 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù),涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(20mOhm @ 11A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(6.3 nC @ 5 V)、Vgs (Max)(20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(860 pF @ 15 V) 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。

關(guān)于 中央半導(dǎo)體:Central Semiconductor,中文名「中央半導(dǎo)體」,自1974年起,便致力于為全球電子產(chǎn)品制造創(chuàng)新型分立式半導(dǎo)體元器件。作為業(yè)界資深的電子元件制造商,中央半導(dǎo)體在數(shù)十年的發(fā)展歷程中,憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力和對(duì)品質(zhì)的不懈追求,贏得了廣泛的市場(chǎng)認(rèn)可。其核心產(chǎn)品線涵蓋了種類繁多的電子元件,包括但不限于標(biāo)準(zhǔn)及定制化的小信號(hào)晶體管、雙極功率晶體管、MOSFETs、二極管、整流器、保護(hù)器件、限流二極管、橋式整流器、晶閘管,以及前沿的碳化硅(SiC)器件。這些高質(zhì)量的IC芯片和分立半導(dǎo)體元件,是現(xiàn)代電子設(shè)備不可或缺的組成部分。

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CWDM3011N TR13 PBFREE常見(jiàn)問(wèn)題

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