IRG7PG35U-EPBF 英飛凌科技單 IGBT
英飛凌科技 IRG7PG35U-EPBF 單 IGBT
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 210 W |
| Switching Energy | 1.06mJ (on), 620μJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 85 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
IRG7PG35U-EPBF 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IRG7PG35U-EPBF 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類(lèi)電子元器件。IGBT 1000V 55A 210W TO247AD。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V、Current - Collector (Ic) (Max): 55 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A。
IRG7PG35U-EPBF 共有 16 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Power - Max（210 W）、Switching Energy（1.06mJ (on), 620μJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（85 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/160ns） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。
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