IRGC100B60KC 英飛凌科技單 IGBT

IRGC100B60KC 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

IRGC100B60KC 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類電子元器件。IGBT CHIP。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Input Type: Standard、Reverse Recovery Time (trr): 130 ns、Operating Temperature: -55°C ~ 150°C。

IRGC100B60KC 共有 9 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（Die）、Supplier Device Package（Die） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線等資料。

關(guān)于 英飛凌科技：**英飛凌科技（Infineon Technologies）：驅(qū)動(dòng)未來電子世界的核心力量**

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