SIGC18T60NCX1SA6 英飛凌科技單 IGBT

SIGC18T60NCX1SA6 英飛凌科技單 IGBT - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

SIGC18T60NCX1SA6 是由 英飛凌科技 制造的 單 IGBT 類(lèi)電子元器件。IGBT 3 CHIP 600V WAFER。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A。

SIGC18T60NCX1SA6 共有 13 項(xiàng)技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機(jī)械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Input Type（Standard）、Td (on/off) @ 25°C（21ns/110ns）、Test Condition（300V, 20A, 13Ohm, 15V）、Operating Temperature（-55°C ~ 150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount） 等。更多詳細(xì)參數(shù)請(qǐng)查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標(biāo)簽頁(yè)。同時(shí)您還可以下載PDF規(guī)格書(shū)，獲取完整的引腳定義、應(yīng)用電路和性能曲線(xiàn)等資料。

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