FS650R08A4P2BPSA1是英飛凌科技旗下的IGBT模塊 產(chǎn)品，深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供FS650R08A4P2BPSA1現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供FS650R08A4P2BPSA1 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦，原裝正品保障，支持批量采購與在線詢價，發(fā)貨速度快。
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| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 750 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 375 A |
| Power - Max | 20 mW |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 375A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 65 nF @ 50 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | AG-HYBDC6I-1 |
FS650R08A4P2BPSA1 是由 英飛凌科技 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。HYBRID PACK 1。該器件的核心參數(shù)包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V、Current - Collector (Ic) (Max): 375 A、Power - Max: 20 mW。
FS650R08A4P2BPSA1 共有 15 項技術(shù)參數(shù)，涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（1.35V @ 15V, 375A）、Current - Collector Cutoff (Max)（1 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（65 nF @ 50 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書，獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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