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MIP75R12E2ATN-BP 微電子元件公司IGBT模塊
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MIP75R12E2ATN-BP 微電子元件公司IGBT模塊

品牌:微電子元件公司 分類:IGBT模塊 描述:IGBT MODULES 1200V 75A, E2A
¥1196.42

微電子元件公司 MIP75R12E2ATN-BP IGBT模塊

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
IGBT Type-
ConfigurationThree Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)75 A
Power - Max476 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 75A
Current - Collector Cutoff (Max)1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce4.2 nF @ 25 V
InputThree Phase Bridge Rectifier
NTC ThermistorYes
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeChassis Mount
Package / CaseModule
Supplier Device PackageE2A

MIP75R12E2ATN-BP 微電子元件公司IGBT模塊 - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

MIP75R12E2ATN-BP 是由 微電子元件公司 制造的 IGBT模塊 類電子元器件。IGBT MODULES 1200V 75A, E2A。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、Configuration: Three Phase Inverter、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 75 A、Power - Max: 476 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A。

MIP75R12E2ATN-BP 共有 14 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Current - Collector Cutoff (Max)(1 mA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(4.2 nF @ 25 V)、Input(Three Phase Bridge Rectifier)、NTC Thermistor(Yes)、Operating Temperature(-40°C ~ 150°C (TJ)) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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MIP75R12E2ATN-BP常見問題

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