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SI01P10-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET
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SI01P10-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET

品牌:微電子元件公司 分類:單 FET、MOSFET 描述:MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
¥3.67

微電子元件公司 SI01P10-TP 單 FET、MOSFET

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規(guī)格參數(shù)

Product StatusActive
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds388 pF @ 40 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)770mW
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageSOT-23
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI01P10-TP 微電子元件公司單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南

SI01P10-TP 是由 微電子元件公司 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET P-CH 100V 1A SOT23。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1A, 10V。

SI01P10-TP 共有 15 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Vgs(th) (Max) @ Id(3V @ 250μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(3.2 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±20V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(388 pF @ 40 V)、Power Dissipation (Max)(770mW) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。

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SI01P10-TP常見問題

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