
IPD25N06S4L30ATMA2 英飛凌科技單 FET、MOSFET
英飛凌科技 IPD25N06S4L30ATMA2 單 FET、MOSFET
IPD25N06S4L30ATMA2是英飛凌科技旗下的單 FET、MOSFET 產(chǎn)品,深圳凌創(chuàng)輝電子有限公司提供IPD25N06S4L30ATMA2現(xiàn)貨庫存與價格報價查詢。我們可為您提供IPD25N06S4L30ATMA2 datasheet數(shù)據(jù)手冊下載、規(guī)格參數(shù)查閱及替代型號推薦,原裝正品保障,支持批量采購與在線詢價,發(fā)貨速度快。
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規(guī)格參數(shù)
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 8μA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1220 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 29W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPD25N06S4L30ATMA2 英飛凌科技單 FET、MOSFET - 規(guī)格參數(shù)與選型指南
IPD25N06S4L30ATMA2 是由 英飛凌科技 制造的 單 FET、MOSFET 類電子元器件。MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31。該器件的核心參數(shù)包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
IPD25N06S4L30ATMA2 共有 16 項技術參數(shù),涵蓋電氣特性、機械特性和環(huán)境特性等方面。其他規(guī)格還包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(30mOhm @ 25A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.2V @ 8μA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(16.3 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±16V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1220 pF @ 25 V) 等。更多詳細參數(shù)請查閱上方"產(chǎn)品參數(shù)"標簽頁。同時您還可以下載PDF規(guī)格書,獲取完整的引腳定義、應用電路和性能曲線等資料。
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